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三維光學輪廓儀
Sensofar
S wideSensofar3D輪廓儀:科研分析“宏觀顯微鏡”
Sensofar3D輪廓儀:科研分析“宏觀顯微鏡"在材料科學、半導體與復合材料研究領域,大面積樣品的表面均勻性分析是揭示材料性能與制備工藝的關鍵環(huán)節(jié)。Sensofar S wide大視野3D光學輪廓儀憑借其“大視場+高精度"特性,為科研人員提供了宏觀尺度下的微觀觀察工具。
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在材料科學、半導體與復合材料研究領域,大面積樣品的表面均勻性分析是揭示材料性能與制備工藝的關鍵環(huán)節(jié)。Sensofar S wide大視野3D光學輪廓儀憑借其“大視場+高精度"特性,為科研人員提供了宏觀尺度下的微觀觀察工具。
S wide采用大視場鏡頭設計,標配5x物鏡時視場直徑達10mm,單次測量可覆蓋傳統(tǒng)設備的8倍以上區(qū)域。其核心光學系統(tǒng)支持共聚焦顯微鏡與白光干涉雙模切換:共聚焦模式下橫向分辨率0.3μm,縱向分辨率5nm,適合粗糙表面或高斜率樣品的測量;白光干涉模式則將縱向分辨率提升至0.1nm,可精準捕捉納米級臺階高度與表面平整度。
設備搭載500萬像素CMOS傳感器,配合數(shù)字變焦功能,既能實現(xiàn)10mm×10mm區(qū)域的整體掃描,也可對局部細節(jié)進行放大觀察。針對透明樣品(如玻璃、聚合物薄膜),透過式共聚焦模式可穿透表層觀察內部結構;反射式模式則通過優(yōu)化光源角度,清晰呈現(xiàn)金屬、陶瓷等不透明材料的表面紋理。
S wide的“快速拼接算法"支持多區(qū)域測量數(shù)據(jù)的自動拼接,拼接精度0.1μm,拼接速度較傳統(tǒng)算法提升50%。以300mm×300mm晶圓測量為例,傳統(tǒng)設備需分9次掃描并手動拼接,耗時1.5小時;S wide僅需1小時即可完成精細掃描(分辨率500nm),兼顧效率與精度。
配套軟件具備大面積數(shù)據(jù)統(tǒng)計功能,可自動計算樣品的粗糙度分布(Sa、Sq)、厚度均勻性、缺陷密度等參數(shù),為科研分析提供量化依據(jù)。例如,在復合材料研究中,S wide可分析纖維分布均勻性,揭示材料力學性能與微觀結構的關系。
光學鏡頭采用高透光率肖特玻璃,經(jīng)多層增透鍍膜處理,大視場范圍內透光均勻性達95%;鏡頭艙采用雙層防塵結構,內層密封光學艙與外層防護蓋設計,避免灰塵進入影響成像質量。樣品臺臺面采用航空級鋁合金,表面經(jīng)過精密研磨,平整度誤差小于3μm,確保大面積樣品放置后無明顯傾斜,保障掃描一致性。
內部機械傳動部件采用雙滾珠絲杠與伺服電機,傳動精度達0.1μm/mm,長期使用后仍能保持穩(wěn)定的平移精度,減少拼接誤差。設備外殼采用冷軋鋼板,表面經(jīng)過防靜電噴涂處理,能抵抗實驗室常見化學試劑的腐蝕,同時減少靜電對電子元件的影響。
參數(shù)類別 | 標準版參數(shù) | 增強版參數(shù) |
---|---|---|
測量范圍 | X/Y軸300mm×300mm,Z軸20mm | X/Y軸500mm×500mm,Z軸20mm |
橫向分辨率 | 共聚焦模式:0.3μm(5x物鏡) | 共聚焦模式:0.2μm(10x物鏡) |
縱向分辨率 | 共聚焦模式:5nm;干涉模式:0.1nm | 共聚焦模式:3nm;干涉模式:0.05nm |
掃描速度 | 0.5-10mm/s(連續(xù)可調) | 1-20mm/s(高速模式) |
數(shù)據(jù)輸出格式 | ASCII、CSV、STL | ASCII、CSV、STL、CAD兼容格式 |
標準版適用于常規(guī)科研需求,增強版則通過更高分辨率與更快掃描速度,滿足對數(shù)據(jù)精度與效率要求更高的研究場景。
在半導體制造中,S wide用于分析晶圓表面的顆粒污染與薄膜厚度均勻性;在復合材料研究領域,其大視場特性可快速檢測材料表面的纖維分布與孔隙率。操作流程如下:
樣品固定:使用可調節(jié)夾具固定不規(guī)則形狀樣品,耐磨防滑墊防止滑動;
模式選擇:粗糙樣品選共聚焦模式,光滑樣品選白光干涉模式;
區(qū)域定位:通過低倍物鏡框選測量區(qū)域,軟件自動規(guī)劃掃描路徑;
數(shù)據(jù)分析:生成包含3D形貌圖、截面曲線與粗糙度參數(shù)的檢測報告。
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